| ： | GT065P06D5 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET P-CH 60V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 3353 |
| ： | 1 |
1
$1.4900
$1.4900
10
$1.2400
$12.4000
100
$0.9800
$98.0000
500
$0.8300
$415.0000
1000
$0.7100
$710.0000
2000
$0.6700
$1,340.0000
5000
$0.6500
$3,250.0000
10000
$0.6300
$6,300.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V |
| 功耗（最大） | 178W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (4.9x5.75) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 62 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 5326 pF @ 30 V |
