| ： | HP8KE6TB1 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | ROHM Semiconductor |
| ： | MOSFET 2N-CH 10 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 2558 |
| ： | |
1
$1.5200
$1.5200
10
$1.2600
$12.6000
100
$1.0000
$100.0000
500
$0.8500
$425.0000
1000
$0.7200
$720.0000
2500
$0.6800
$1,700.0000
5000
$0.6600
$3,300.0000
12500
$0.6400
$8,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 3W (Ta), 21W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 17A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 305pF @ 50V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 54mOhm @ 6A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备包 | 8-HSOP |
