| ： | TO252MDD4N65DS |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | NextGen Components |
| ： | MOSFET TO-252 N |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 12600 |
| ： | 1 |
2500
$0.7200
$1,800.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | NextGen Components |
| 系列 | TO-252 |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 2.8Ohm @ 2A, 10V |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 12 nC @ 10 V |
